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 Lowering interface state density in carbon nanotube thin film transistors through using stacked Y2O3/HfO2 gate dielectric 叠层Y2O3/HfO2栅介质降低碳纳米管薄膜晶体管界面态密度
相关领域
材料科学
光电子学
薄膜晶体管
栅极电介质
跨导
碳纳米管
阈值电压
晶体管
电介质
纳米技术
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电气工程
工程类
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Lin Xu; Ningfei Gao; Zhiyong Zhang; Lian‐Mao Peng 出版日期：2018-08-20 |
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