| 标题 |
[高分]
 MFSFET with 5nm Thick Ferroelectric Nondoped HfO<sub>2</sub> Gate Insulator Utilizing Low Power Sputtering for Pt Gate Electrode Deposition 利用低功率溅射沉积Pt栅电极的具有5nm厚铁电非掺杂HfO2栅极绝缘体的MFSFET
相关领域
材料科学
光电子学
溅射
绝缘体（电）
电极
铁电性
沉积（地质）
薄膜
纳米技术
电介质
化学
沉积物
生物
物理化学
古生物学
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| 其它 |
期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Joong‐Won Shin; Masakazu Tanuma; Shun-ichiro Ohmi 出版日期：2022-06-26 |
| 求助人 |
oli
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