标题 |
Unexpectedly low barrier of ferroelectric switching in HfO2 via topological domain walls
通过拓扑畴壁实现HfO2铁电开关的低势垒
相关领域
铁电性
正交晶系
极化(电化学)
材料科学
成核
可扩展性
凝聚态物理
拓扑(电路)
领域(数学分析)
原子单位
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期刊:Materials Today 作者:Duk-Hyun Choe; Sung-Hyun Kim; Taehwan Moon; Sanghyun Jo; Hagyoul Bae; et al 出版日期:2021-08-11 |
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