Role of deposition and annealing of the top gate dielectric in a-IGZO TFT-based dual-gate ion-sensitive field-effect transistors

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标题	Role of deposition and annealing of the top gate dielectric in a-IGZO TFT-based dual-gate ion-sensitive field-effect transistors
网址	http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/aa5584
DOI	10.1088/1361-6641/aa5584 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Narendra Kumar; Moitri Sutradhar; Jitendra Kumar; Siddhartha Panda 出版日期：2016-12-23
求助人	姜勇在 2026-06-12 13:03:16 发布自四川，悬赏 10 积分
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