A novel double-trench SiC SBD-embedded MOSFET with improved figure-of-merit and short-circuit ruggedness

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标题	A novel double-trench SiC SBD-embedded MOSFET with improved figure-of-merit and short-circuit ruggedness
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2024.106495
DOI	10.1016/j.mejo.2024.106495 doi
其它	期刊：Microelectronics Journal 作者：Ziwei Hu; Jiafei Yao; Fan Yang; Yuxuan Dai; Kemeng Yang; et al 出版日期：2025-01-01
求助人	xy 在 2026-07-07 15:30:27 发布自江苏，悬赏 10 积分
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