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 Off-state leakage characteristics for p-GaN gate HEMTs with source via trench insulated oxide layer 相关领域
材料科学
光电子学
沟槽
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氧化物
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击穿电压
晶体管
随时间变化的栅氧化层击穿
浅沟隔离
带材弯曲
图层（电子）
反向漏电流
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功率半导体器件
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Gökhan Atmaca; Ho-Young Cha 出版日期：2026-07-01 |
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