| 标题 |
Rare Earth doped GaN for photonic devices 用于光子器件的稀土掺杂GaN
相关领域
化学气相沉积
光致发光
材料科学
兴奋剂
稀土
光电子学
光子学
宽禁带半导体
激发
猝灭(荧光)
光学
荧光
冶金
物理
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊: 作者:Vinh X. Ho; H. X. Jiang; J. Y. Lin; J. M. Zavada; N. Q. Vinh 出版日期:2017-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|