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 High‐Performance Broad‐Spectrum UV Photodetectors with Uniform Response: Engineering β‐Ga2O3:Si/GaN:Si Heterojunctions via Thermal Oxidation for Optoelectronic Logic Gate and Multispectral Imaging 具有均匀响应的高性能宽光谱紫外光探测器：通过热氧化工程β-Ga2O3：Si/GaN：Si异质结用于光电逻辑门和多光谱成像
相关领域
材料科学
光电子学
异质结
光电探测器
光电流
多光谱图像
热氧化
紫外线
响应度
活动层
暗电流
图层（电子）
硅
纳米技术
计算机科学
薄膜晶体管
计算机视觉
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| 其它 |
期刊：Small 作者：Jili Jiang; Jiangshuai Luo; Ke Ding; Yan Tang; Hong Zhang; et al 出版日期：2024-12-01 |
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