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[求助补充材料]
  Enhanced mobility and bias stability of SnO2 thin-film transistors enabled by Ga2O3 passivation-induced two-dimensional electron gas Ga2O3钝化诱导的二维电子气增强SnO2薄膜晶体管的迁移率和偏置稳定性
相关领域
钝化
材料科学
光电子学
悬空债券
晶体管
电子迁移率
热稳定性
频道（广播）
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氧化物
电子
薄膜晶体管
费米气体
热的
图层（电子）
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电子工程
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期刊：Materials Today Advances 作者：Su-Hyeon Choi; Jong-Min Yoon; Taesu Kim; Jin‐Hyuk Bae; Young-gu Kang; et al 出版日期：2025-09-13 |
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