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Examination of Trapping Effects on Single-Event Transients in GaN HEMTs
GaN HEMTs中单事件瞬态俘获效应的研究
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网址
https://doi.org/10.1109/tns.2022.3220235
DOI
10.1109/tns.2022.3220235 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nuclear Science
作者：Tolen Nelson; Daniel G. Georgiev; Michael R. Hontz; Raghav Khanna; Adrian Ildefonso; et al
出版日期：2022-11-08
求助人
holly 在 2025-12-06 12:05:59 发布自上海，悬赏 10 积分
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