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 Carrier Lifetime in 60Co Gamma and 1 MeV Electron‐Irradiated Tin‐Doped n‐Type Czochralski Silicon: Conditions for Improving Radiation Hardness 60Co γ和1 MeV电子辐照掺锡n型直拉硅的载流子寿命：提高辐射硬度的条件
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硅
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辐射硬化
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Mykola Kras'ko; Andrii Kolosiuk; Vasyl Voitovych; V. Yu. Povarchuk 出版日期：2021-07-02 |
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