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标题
High Hole Mobility of Polycrystalline GeSn Layers Grown by Hot‐Wire Chemical Vapor Deposition on Diamond Substrates
金刚石衬底上热丝化学气相沉积多晶GeSn层的高空穴迁移率
相关领域
微晶 材料科学 化学气相沉积 钻石 聚晶金刚石 退火（玻璃） 表面粗糙度 表面光洁度 光电子学 复合材料 冶金
网址
https://doi.org/10.1002/pssr.202100421
DOI
10.1002/pssr.202100421 doi
其它 期刊：physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
作者：Yury N. Buzynin; В. Г. Шенгуров; С. А. Денисов; P. A. Yunin; V. Yu. Chalkov; et al
出版日期：2021-09-28
求助人
bb 在 2025-08-28 16:33:07 发布，悬赏 10 积分
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