Threshold voltage instability in III-nitride heterostructure metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors: Characterization and interface engineering

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标题	Threshold voltage instability in III-nitride heterostructure metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors: Characterization and interface engineering III族氮化物异质结构金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的阈值电压不稳定性：表征和界面工程相关领域异质结光电子学材料科学晶体管半导体原子层沉积电压电气工程纳米技术薄膜工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0179376
DOI	10.1063/5.0179376 doi
其它	期刊：Applied physics reviews 作者：Sen Huang; Xinhua Wang; Yixu Yao; Kexin Deng; Yang Yang; et al 出版日期：2024-05-31
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