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  Threshold voltage instability in III-nitride heterostructure metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors: Characterization and interface engineering III族氮化物异质结构金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管的阈值电压不稳定性：表征和界面工程
相关领域
异质结
光电子学
材料科学
晶体管
半导体
原子层沉积
电压
电气工程
纳米技术
薄膜
工程类
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| 其它 |
期刊：Applied physics reviews 作者：Sen Huang; Xinhua Wang; Yixu Yao; Kexin Deng; Yang Yang; et al 出版日期：2024-05-31 |
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