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 Origin of InGaN light-emitting diode efficiency improvements using chirped AlGaN multi-quantum barriers 利用啁啾AlGaN多量子势垒提高InGaN发光二极管效率的起源
相关领域
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Joachim Piprek; Z. M. Simon Li 出版日期：2013-01-14 |
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