| 标题 |
[高分]
 Fully visible light controlled neuro-synaptic ReRAM device based on metal oxide heterojunction 基于金属氧化物异质结的全可见光控制神经突触ReRAM装置
相关领域
异质结
材料科学
电阻随机存取存储器
光电子学
氧化物
金属
纳米技术
化学
冶金
电极
物理化学
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| 其它 |
期刊：Applied physics letters 作者：Saransh Shrivastava; Hsiao-Ni Chi; Stephen Ekaputra Limantoro; Hans Juliano; Tseung‐Yuen Tseng 出版日期：2024-03-25 |
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