| 标题 |
  Low contact resistance and high current density in ballistic p-type transistors based on oxygen-doped WSe2 monolayers 相关领域
二硒化钨
单层
材料科学
晶体管
接触电阻
光电子学
兴奋剂
硅
场效应晶体管
半导体
纳米技术
饱和电流
弹道传导
等效串联电阻
薄膜晶体管
钨
饱和（图论）
电流密度
电子迁移率
二硫化钨
化学气相沉积
氧气
电接点
纳米电子学
CMOS芯片
薄脆饼
制作
凝聚态物理
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期刊：Nature Communications 作者：Lei Sun; Tingting Gao; Lin Xu; Wanying Li; Chuanqi Zhang; et al 出版日期：2026-10-01 |
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