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First Demonstration of Top-Gate Enhancement- Mode ALD In 2 O 3 FETs With High Thermal Budget of 600 ° C for DRAM Applications |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Jian-Yu Lin; Zhuocheng Zhang; Zehao Lin; Chang Niu; Yizhi Zhang; et al 出版日期:2024-08-12 |
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(2025-6-4)