| 标题 |
Effect of Fixed Charges at Interface Between InP and Bonding Layer on Heterogeneous Integration of InP HEMTs InP与键合层界面固定电荷对InP HEMTs异质集成的影响
相关领域
高电子迁移率晶体管
接口(物质)
拓扑(电路)
立体化学
物理
电气工程
化学
晶体管
分子
工程类
量子力学
电压
吉布斯等温线
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Yao Chen; Lin‐An Yang; Zhi Jin; Yongbo Su; Yue Hao 出版日期:2021-03-24 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)