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 Boron‐Doped Polysilicon Passivating Contacts Achieving a Single‐Sided J0 of 4.0 fA/cm2 Through a Two‐Step Oxidation Process 通过两步氧化工艺实现单面J0为4.0 fA/cm2的掺硼多晶硅钝化触点
相关领域
钝化
兴奋剂
材料科学
硼
饱和电流
退火（玻璃）
氧化物
分析化学（期刊）
硅
形成气体
太阳能电池
光电子学
电压
电气工程
纳米技术
冶金
图层（电子）
化学
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工程类
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期刊：Progress in Photovoltaics 作者：Yali Ou; Haojiang Du; Na Lin; Zunke Liu; Wei Liu; et al 出版日期：2024-12-30 |
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