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 Hole and positron interaction with vacancies and p-type dopants in epitaxially grown silicon 外延生长硅中空穴和正电子与空位和p型掺杂剂的相互作用
相关领域
外延
掺杂剂
硅
材料科学
正电子
结晶学
兴奋剂
凝聚态物理
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化学
纳米技术
物理
电子
核物理学
图层（电子）
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Fabio Isa; J. A. Schmidt; S. Aghion; E. Napolitani; Giovanni Isella; et al 出版日期：2024-04-24 |
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