标题 |
![]() 用于高迁移率低功率P沟道薄膜晶体管的SiO2钝化高k HfO2介质上水平取向ALD-SnO薄膜
相关领域
钝化
材料科学
原子层沉积
电介质
光电子学
薄膜晶体管
基质(水族馆)
制作
高-κ电介质
晶体管
图层(电子)
电子迁移率
纳米技术
电压
电气工程
工程类
医学
海洋学
替代医学
病理
地质学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Surfaces and Interfaces 作者:Jina Kim; Hee Won Jang; Myeong Gil Chae; Heenang Choi; Jeong Eun Shin; et al 出版日期:2023-12-06 |
求助人 |
jlm@kyt
在
2025-08-05 01:07:47 发布,悬赏 10 积分
|
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|