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 Characteristics of 𝑛+ polycrystalline-Si/Al2O3/Si metal–oxide– semiconductor structures prepared by atomic layer chemical vapor deposition using Al(CH3)3 and H2O vapor Al（CH3）3和H2O蒸汽原子层化学气相沉积制备+多晶Si/Al2O3/Si金属氧化物半导体结构的特性
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随时间变化的栅氧化层击穿
栅极电介质
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