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标题
Crack-free GaN deposition on Si substrate with temperature-graded AlN buffer growth and the emission characteristics of overgrown InGaN/GaN quantum wells
温度梯度AlN缓冲生长硅衬底无裂纹GaN沉积及过度生长InGaN/GaN量子阱的发射特性
相关领域
材料科学 量子阱 超晶格 缓冲器（光纤） 光电子学 铟 图层（电子） 基质（水族馆） 残余应力 铟镓氮化物 压力（语言学） 复合材料 氮化镓 光学 电信 海洋学 物理 地质学 哲学 语言学 计算机科学 激光器
网址
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.03.025
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2014.03.025 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Chih‐Yen Chen; Wen-Ming Chang; Wei-Lun Chung; Chieh Hsieh; Che‐Hao Liao; et al
出版日期：2014-03-26
求助人
lujia 在 2025-06-07 11:27:39 发布自美国，悬赏 10 积分
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