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 PROBING VANADIUM DOPED CADMIUM TELLURIDE DENSITY OF STATES : ENERGY LEVEL OF THE TELLURIUM ANTISITE 探测钒掺杂碲化镉的态密度：碲反位点的能级
相关领域
电子顺磁共振
碲
碲化镉光电
钒
材料科学
光电流
兴奋剂
光折变效应
光电子学
凝聚态物理
核磁共振
冶金
物理
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| 其它 |
期刊： 作者：D. Verstraeten; Christophe Longeaud; H. J. von Bardeleben; Jean‐Claude Launay; O. Viraphong; et al 出版日期：2003-01-01 |
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