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  Quasi-heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 on off-angled sapphire (0 0 0 1) substrates by halide vapor phase epitaxy 相关领域
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Yuichi Oshima; Encarnación G. Vı́llora; Kiyoshi Shimamura 出版日期：2014-10-28 |
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