| 标题 |
Band Engineering of SnSe 2 via Ag‐Doping Enables Rapid NO 2 Sensors at Room Temperature 相关领域
材料科学
电子结构
密度泛函理论
光电子学
极限(数学)
工作(物理)
电子能带结构
数码产品
吸附
纳米技术
电子系统
电子工程
电子鼻
金属
电子设计
电子波段
领域(数学)
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Advanced materials and technologies 作者:Yilin Chen; Kai Zhao; Xiao Chang; Feng Yuan; Xianghong Liu; et al 出版日期:2025-11-28 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)