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On the Potential of Ambipolar Schottky-Based Ferroelectric Transistor Designs for Enhanced Memory Windows in Scaled Devices 基于双极肖特基的铁电晶体管设计在缩放器件中增强存储窗口的潜力
相关领域
双极扩散
晶体管
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Mischa Thesberg; Tetyana Obukhova; Damien Deleruyelle; Jens Trommer; Thomas Mikolajick; et al 出版日期:2024-09-27 |
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