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  Effects of crystallinity of silicon channels formed by two metal-induced lateral crystallization methods on the cell current distribution in NAND-type 3D flash memory 相关领域
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Haruki Matsuo; Hiroki Yamashita; Yusuke Shimada; Noritaka Ishihara; Satoshi Seto; et al 出版日期：2024-02-08 |
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