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p-Type Behavior of Carbon on n-Type GaN Schottky-Barrier Diodes Doped by Neutron Transmutation Effects 中子嬗变效应掺杂n型GaN肖特基势垒二极管上碳的p型行为
相关领域
掺杂剂
材料科学
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类型(生物学)
中子辐照
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Jeongwoo Kim; Jae W. Kwon 出版日期:2023-10-03 |
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