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  Breakdown Behavior of Metal Contact Positions in GaN HEMT with Nitrogen-Implanted Gate Using TCAD Simulation 氮化GaN HEMT中金属接触位置击穿行为的TCAD模拟
相关领域
高电子迁移率晶体管
击穿电压
材料科学
光电子学
电场
晶体管
压电
电压
电气工程
复合材料
工程类
量子力学
物理
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| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Gene Sheu; Yu‐Lin Song; Ramyasri Mogarala; Dupati Susmitha; Kutagulla Issac 出版日期：2022-01-22 |
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