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标题
Breakdown Behavior of Metal Contact Positions in GaN HEMT with Nitrogen-Implanted Gate Using TCAD Simulation
氮化GaN HEMT中金属接触位置击穿行为的TCAD模拟
相关领域
高电子迁移率晶体管 击穿电压 材料科学 光电子学 电场 晶体管 压电 电压 电气工程 复合材料 工程类 量子力学 物理
网址
https://www.mdpi.com/2072-666X/13/2/169/pdf?version=16430156...
AI链接 mdpi.com mdpi.com nih.gov doaj.org nih.govdoi.org
DOI
10.3390/mi13020169 doi
其它 期刊：Micromachines
作者：Gene Sheu; Yu‐Lin Song; Ramyasri Mogarala; Dupati Susmitha; Kutagulla Issac
出版日期：2022-01-22
求助人
Huang 在 2025-12-06 07:39:16 发布自江苏，悬赏 10 积分
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