Van der Waals Epitaxy Growth and Characterization of 7:7:8 Commensurate Heterointerfaces between h-AlN and Two-Dimensional WS2/c-Al2O3

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标题	Van der Waals Epitaxy Growth and Characterization of 7:7:8 Commensurate Heterointerfaces between h-AlN and Two-Dimensional WS2/c-Al2O3 h-AlN与二维WS2/C-Al2O3 7：7：8等比例异质界面的范德华外延生长及表征相关领域外延材料科学异质结分子束外延透射电子显微镜薄膜电子衍射晶格常数衍射结晶学光电子学光学化学纳米技术图层（电子）物理
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c01218
DOI	10.1021/acsaelm.3c01218 doi
其它	期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Wei-Chun Chen; Mu‐Huan Lee; Kun An Chiu; Wei-Lin Wang; Yen-Teng Ho; et al 出版日期：2024-01-10
求助人	zhx 在 2025-12-05 04:30:57 发布自浙江，悬赏 10 积分
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