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Broadband Millimeter-Wave Front-End Module Design Considerations in FD-SOI CMOS vs. GaN HEMTs FD-SOI CMOS与GaN HEMT的宽带毫米波前端模块设计考虑
相关领域
极高频率
W波段
放大器
光电子学
材料科学
电气工程
绝缘体上的硅
高电子迁移率晶体管
功率增益
V波段
CMOS芯片
回波损耗
宽带
物理
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晶体管
工程类
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期刊:Applied Sciences 作者:Clint Sweeney; Donald Y.C. Lie; Jill Mayeda; Jerry Lopez 出版日期:2024-12-09 |
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