| 标题 |
A Junction Temperature and Package Aging Decoupling Evaluating Method for SiC MOSFETs Based on the Turn-on Drain-Source Current Overshoot 相关领域
结温
超调(微波通信)
解耦(概率)
拓扑(电路)
计算机科学
晶体管
MOSFET
电气工程
电子工程
物理
工程类
电信
热的
电压
热力学
控制工程
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:IEEE Transactions on Power Electronics 作者:Qinghao Zhang; Pinjia Zhang 出版日期:2023-08-22 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)