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 Narrow gap semiconductor to metal transition in GdNiSb under pressure P-18 P-18压力下GdNiSb中窄间隙半导体到金属的转变
相关领域
材料科学
半导体
过渡金属
凝聚态物理
金属
工程物理
冶金
光电子学
物理
生物化学
化学
催化作用
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期刊：Ceramics International 作者：Р. Д. Мухачев; Semyon T. Baidak; A. V. Lukoyanov 出版日期：2024-09-01 |
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