| 标题 |
  Investigation of the switching and carrier recombination characteristics in the proton irradiated and thermally annealed Si PIN diodes 相关领域
二极管
重组
材料科学
辐照
光电子学
质子
PIN二极管
退火（玻璃）
化学
复合材料
物理
核物理学
生物化学
基因
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Lithuanian Journal of Physics 作者：A. Uleckas; T. Čeponis; A. Dzimidavičius; E. Gaubas; J. Pavlovas; et al 出版日期：2010-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
Copyright
remusss
yy
CJH
Nole
Oracle
颂歌998
YifanWang
殷勤的紫槐
morena
尊嘟假嘟
22336
叶上初阳
俊秀的白曼
moufei
邓佳鑫Alan
核桃
Fellow_Lee
cdercder
皖公网安备34019202002308
