| 标题 |
  An Optimized Device Structure with Improved Erase Operation within the Indium Gallium Zinc Oxide Channel in Three-Dimensional NAND Flash Applications 三维NAND闪存应用中铟镓锌氧化物沟道内具有改进擦除操作的优化器件结构
相关领域
材料科学
光电子学
氧化物
铟
半导体
频道（广播）
镓
带隙
宽禁带半导体
兴奋剂
闪存
电子工程
电气工程
计算机科学
冶金
工程类
操作系统
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Electronics 作者：Seonjun Choi; Jin‐Seong Park; Myounggon Kang; Hong-sik Jung; Yun‐Heub Song 出版日期：2024-01-22 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
愉快的真
神勇映雁
Lifeismovie
嘻嘻哈哈
学霸业
Criminology34
GingerF
如意的歌曲
guangzhui
Banff
DW
herococa
逍遥
OK
jonwick1
林狗
典雅夏之
loii
无极微光
leah
皖公网安备34019202002308
