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 2X reduction of STT-MRAM switching current using double spin-torque magnetic tunnel junction 利用双自旋矩磁性隧道结将STT-MRAM开关电流降低2倍
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期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：G. Hu; G. Lauer; J. Z. Sun; Pouya Hashemi; Christopher Safranski; et al 出版日期：2021-12-11 |
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