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 Improvement of structural quality of AlN layers grown on c-plane sapphire substrate by metal–organic vapor phase epitaxy using post-growth annealing with trimethylgallium 三甲基镓后生长退火改善c面蓝宝石金属有机气相外延AlN层结构质量
相关领域
三甲基镓
金属有机气相外延
退火（玻璃）
材料科学
外延
蓝宝石
半最大全宽
化学气相沉积
光电子学
分析化学（期刊）
结晶学
光学
化学
纳米技术
图层（电子）
冶金
激光器
物理
色谱法
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期刊：AIP advances 作者：Masataka Imura; Nobuyuki Ishida; Takaaki Mano; Nobuyuki Ishida; Fumihiko Uesugi; et al 出版日期：2022-01-01 |
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