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Schottky Barrier Diode Characteristics of Graphene-GaN Heterojunction with Hexagonal Boron Nitride Interfacial Layer
具有六方氮化硼界面层的石墨烯-GaN异质结的肖特基势垒二极管特性
相关领域
材料科学
石墨烯
异质结
肖特基势垒
六方氮化硼
光电子学
图层(电子)
肖特基二极管
六方晶系
氮化硼
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金属半导体结
阻挡层
纳米技术
化学
结晶学
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期刊:Physica status solidi. A, Applications and materials science 作者:Golap Kalita; Mai Kobayashi; Muhammad Dzulsyahmi Shaarin; Rakesh D. Mahyavanshi; Masaki Tanemura 出版日期:2018-06-28 |
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