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 Layered Wide Bandgap Semiconductor GaPS4 as a Charge‐Trapping Medium for Use in High‐Temperature Artificial Synaptic Applications 层状宽带隙半导体GaPS4作为高温人工突触应用中的电荷俘获介质
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Dingwen Cao; Yong Yan; Mengna Wang; Gaoli Luo; Jiarong Zhao; et al 出版日期：2024-03-10 |
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