Charge-pumping characterization of SiO/sub 2//Si interface in virgin and irradiated power VDMOSFETs

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标题	Charge-pumping characterization of SiO/sub 2//Si interface in virgin and irradiated power VDMOSFETs
网址	http://dx.doi.org/10.1109/16.544392
DOI	10.1109/16.544392 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：P. Habas; Z. Prijic; D. Pantic; N.D. Stojadinovic 出版日期：1996-01-01
求助人	Proddy 在 2026-10-17 13:43:51 发布自四川，悬赏 10 积分
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