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Wide-Range Threshold Voltage Tunable β-Ga₂O₃FETs With a Sputtered AlScN Ferroelectric Gate Dielectric |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:S. Y. Oh; Seokgi Kim; Gyuhyung Lee; Ji‐Hyeon Park; Dae‐Woo Jeon; et al 出版日期:2024-07-09 |
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(2025-6-4)