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 Epitaxial GaSb films directly grown on on-axis Si(001) with low defect density by MBE 在低缺陷密度同轴Si（001）上用MBE直接生长GaSb外延薄膜
相关领域
材料科学
锑化镓
光电子学
分子束外延
外延
镶嵌
位错
锑
电子迁移率
超晶格
纳米技术
图层（电子）
复合材料
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Daxing Han; Wen-Qi Wei; Ming Ming; Zihao Wang; Ting Wang; et al 出版日期：2023-04-17 |
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