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Multi-scale modeling of 2D GaSe FETs with strained channels
带应变沟道的2D GaSe场效应晶体管的多尺度模拟
相关领域
介观物理学
材料科学
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期刊:Nanotechnology 作者:Alejandro Toral-López; Hernán Santos; Enrique G. Marín; Fran G Ruiz; J. J. Palacios; et al 出版日期:2021-12-13 |
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