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标题
New Submicron Low Gate Leakage In0.52Al0.48As-In0.7Ga0.3As pHEMT for Low-Noise Applications
适用于低噪声应用的新型亚微米低栅极泄漏In0.52 Al 0.48 As-In0.7Ga0.3 As PHEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管 泄漏（经济） 光电子学 材料科学 电气工程 电子工程 工程类 晶体管 宏观经济学 经济 电压
网址
https://www.mdpi.com/2072-666X/12/12/1497/pdf?version=163892...
AI链接 mdpi.com mdpi.com doaj.org nih.gov nih.govdoi.org
DOI
10.3390/mi12121497 doi
其它 期刊：Micromachines
作者：Mohamed Fauzi Packeer Mohamed; Mohamad Faiz Mohamed Omar; Muhammad Firdaus Akbar; Nor Azlin Ghazali; Mohd Hendra Hairi; et al
出版日期：2021-11-30
求助人
Ada 在 2025-08-25 21:18:40 发布，悬赏 10 积分
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