Superior resistive switching memory and biological synapse properties based on a simple TiN/SiO2/p-Si tunneling junction structure

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标题	Superior resistive switching memory and biological synapse properties based on a simple TiN/SiO2/p-Si tunneling junction structure 相关领域锡材料科学简单（哲学）突触光电子学纳米技术电阻式触摸屏量子隧道电气工程神经科学冶金工程类哲学认识论生物
网址	https://doi.org/10.1039/c6tc04261a
DOI	10.1039/c6tc04261a doi
其它	期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Xiaobing Yan; Zhenyu Zhou; Bangfu Ding; Jianhui Zhao; Yuanyuan Zhang 出版日期：2017-01-01
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