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 Effect of AlGaN intermediate layer on residual stress control and surface morphology of GaN grown on 6H-SiC substrate by metal organic vapour phase epitaxy AlGaN中间层对金属有机气相外延生长在6H-SiC衬底上的GaN残余应力控制和表面形貌的影响
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Yang Jiang; Yi Luo; Guangyi Xi; Lai Wang; Hongtao Li; et al 出版日期：2009-01-01 |
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