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 Research Progress on Radiation Damage Mechanism of SiC MOSFETs Under Various Irradiation Conditions 不同辐照条件下SiC MOSFETs辐射损伤机理研究进展
相关领域
材料科学
辐射损伤
辐照
MOSFET
机制（生物学）
辐射
光电子学
碳化硅
工程物理
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核工程
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核物理学
复合材料
晶体管
电压
量子力学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Qi Zeng; Zhichao Yang; Xingfu Wang; Shuti Li; Fangliang Gao 出版日期：2024-02-06 |
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