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[高分] Doped Effects of Quaternary AlInGaN Last Quantum Barrier for Deep-Ultraviolet Laser Diodes Without Electron Blocking Layer
无电子阻挡层深紫外激光二极管中四元AlInGaN最后量子势垒的掺杂效应
相关领域
二极管
兴奋剂
材料科学
激光器
紫外线
光电子学
阻挡层
量子效率
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辐射
光学
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物理
量子力学
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期刊:Journal of Russian Laser Research 作者:Mengshuang Yin; Xien Sang; Yuan Xu; Fang Wang; Juin J. Lion; et al 出版日期:2023-08-26 |
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