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 Origins of High Mobility and Low Operation Voltage of Amorphous Oxide TFTs: Electronic Structure, Electron Transport, Defects and Doping 非晶氧化物薄膜晶体管高迁移率和低工作电压的起源：电子结构、电子输运、缺陷和掺杂
相关领域
薄膜晶体管
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期刊：IEEE/OSA Journal of Display Technology 作者：Toshio Kamiya; Kenji Nomura; Hideo Hosono 出版日期：2009-07-01 |
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